[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

说明书

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法，提供能够减少占用空间并提高排气效率的构成。包括：第1处理组件，其具有衬底处理用的第1处理容器和在正面侧设置的衬底的搬入口；第1设备系统，其包含向所述第1处理容器内供给处理气体的第1供给系统，所述第1设备系统与所述第1处理组件的背面接近配置；以及第1真空排气装置，其配置在所述第1处理组件的后方，对所述第1处理容器内进行排气，所述第1真空排气装置的外侧的侧面以与所述第1设备系统的外侧的侧面相比不向外侧突出的方式构成。

技术领域

本公开文本涉及在衬底上进行薄膜生成等处理的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。

背景技术

关于半导体器件的制造方法，作为用于在衬底(以下称为晶片)上形成氧化膜、金属膜的装置，有时使用纵型衬底处理装置。另外，存在下述衬底处理装置：具备多个对晶片进行保持的晶舟、对晶片进行处理的处理室，针对各处理室依次进行晶舟的搬入搬出，并对晶片进行处理。

在以往的衬底处理装置中，需要在衬底处理装置的周边(例如侧方)确保用于进行各机构维护的维护区域。因此，由于还需要考虑维护区域来设置，因而衬底处理装置的设置所需的占用空间变大，COO(Cost of Owenership：购置成本)也升高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第6484601号公报

专利文献2：WO19/172274号公报

专利文献3：日本特开2012-099763号公报

专利文献4：WO18/003072号公报

发明内容

发明要解决的课题

本公开文本提供能够减少占用空间并提高排气效率的构成。

用于解决课题的手段

本公开内容涉及下述构成，其包括：第1处理组件，其具有衬底处理用的第1处理容器和在正面侧设置的衬底的搬入口；第1设备系统，其包含向所述第1处理容器内供给处理气体的第1供给系统，所述第1设备系统与所述第1处理组件的背面接近配置；和第1真空排气装置，其配置在所述第1处理组件的后方，对所述第1处理容器内进行排气，所述第1真空排气装置的外侧的侧面与所述第1设备系统的外侧的侧面相比不向外侧突出。

发明效果

根据本公开文本，能够抑制多个衬底处理装置之间的排气特性的偏差(机械误差)并提高排气效率(排气速度)。

附图说明

图1是示出本公开文本的实施例涉及的的衬底处理装置的一例的俯视图。

图2是示出本公开文本的实施例涉及的的衬底处理装置的一例的纵剖视图。

图3是示出本公开文本的实施例涉及的的衬底处理装置的一例的横剖视图。

图4是示出本公开文本的实施例涉及的的处理炉的一例的纵剖视图。

图5是示出本公开文本的实施例涉及的的设备系统的一例的立体图。

图6是示出本公开文本的实施例涉及的的增压泵的一例的纵剖视图。

图7的(A)、(B)是示出本公开文本的实施例涉及的的增压泵的一例的立体图。

图8是示出本公开文本的实施例涉及的的衬底处理装置的变形例的俯视图。

图9是示出本公开文本的实施例涉及的的衬底处理装置的变形例的俯视图。

图10是示出本公开文本的实施例涉及的的排气系统及周边部的一例的主视图。