[发明专利]一类氟硼二吡咯衍生物及其制备方法和利用其作为给体掺杂的光电探测器

摘要

本发明公开一类氟硼二吡咯衍生物及其制备方法和利用其作为给体掺杂的光电探测器；所述的所述氟硼二吡咯衍生物引入炔基作为一种P型半导体材料，且对紫外‑可见‑近红外光敏感；所述广谱光电探测器中的体异质结包含P型氟硼二吡咯衍生物和传统的N型富勒烯材料，同时探测器器件中位于所述异质结薄膜的阳极一侧依次设置空穴传输层PEDOT：PSS和透明导电衬底ITO玻璃，以及所述异质结薄膜阴极一侧依次设置电子传输层C60、电子缓冲层LiF和金属背电极Al。本发明所述广谱光电探测器，器件结构和制作工艺简单，对温度不敏感，且具备高的的响应度，探测器响应速度快，在光电通信等领域具有良好的应用价值。