[发明专利]三维存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110312042.9 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN112992910B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 杜小龙;耿万波;夏志良;刘小欣;高庭庭;孙昌志 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供三维存储器及其制备方法。该方法包括：在衬底的一侧形成叠层结构；形成穿过叠层结构的前沟道孔；形成覆盖前沟道孔的内壁的保护层；以及经由覆盖了保护层的前沟道孔，形成贯穿叠层结构的沟道孔。根据该方法，通过采用两步法和保护层来形成沟道孔，可消除沟道孔底部刻蚀不足问题的同时防止相邻沟道孔的距离过近以及上端融合，改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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