[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110305771.1 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113433492A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 挽地友生;深井健太郎 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07;H01L43/06;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;李啸 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供能够降低具有霍尔元件的磁电转换特性的应力依赖性的半导体装置。半导体装置是形成在P型的半导体衬底上的半导体装置，具备：垂直电阻电路，包含N型的电阻，电阻形成对于半导体衬底的表面垂直方向的电流路径；霍尔元件，设置在半导体衬底上，输出与对于半导体衬底的表面垂直方向的磁通密度成比例的电压；放大器，对于从霍尔元件输出的电压进行放大并输出；电流电压转换电路，将包含流过垂直电阻电路的基准电流和垂直电阻电路的电阻值之积的电压作为比较基准电压加以输出；以及比较器，具有被输入从放大器输出的电压的信号输入端子和被输入比较基准电压的基准电压输入端子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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