[发明专利]紫外LED高反电极及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202110301894.8 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113013305B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 徐厚强;蒋洁安;郭炜;叶继春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/38 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 李丽华 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电材料与器件领域，特别是涉及一种紫外LED高反电极及其制备方法与应用。本发明通过采用功函数大于等于4.6eV的金属作为欧姆接触层，同时将金属欧姆接触层图形化，并将图形化率控制在5％～40％内，保证了电极的光学性能，且不会影响金属铝反射层与LED芯片层的欧姆接触。本发明提供的方案平衡了紫外LED高反电极对电学性能和光学性能的需求，避免现有技术中为改善光学性能需要将金属欧姆接触层做得尽可能薄带来的低良品率、较差的可控性以及器件开启电压的升高，同时在光学性能上较现有技术有明显的提升。此外，由于欧姆接触层仅部分覆盖高功函金属，较全覆盖的现有方案减少了高功函金属的用量，减少了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 led 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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