[发明专利]紫外LED高反电极及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种紫外LED高反电极，其特征在于，包括依次设置的LED芯片层、金属欧姆接触层和铝反射层；所述LED芯片层为紫外LED外延片的顶部P型掺杂层，所述金属欧姆接触层为功函数大于等于4.6eV的金属材质的图形化层，所述图形化层为紧密排列的圆点状镂空网，镂空圆点的直径为100nm～10μm，或所述图形化层呈岛状分布；所述金属欧姆接触层的正投影面积为所述LED芯片层正投影面积的10％～30％_；所述功函数大于等于4.6eV的金属为镍、铬、铂、钯、铍、金中的至少一种；所述铝反射层的厚度为50nm～1μm。

2.根据权利要求1所述的紫外LED高反电极，其特征在于，所述金属欧姆接触层的厚度为5nm～50nm。

3.根据权利要求1～2任一项所述的紫外LED高反电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供顶部外延层为P型掺杂层的紫外LED外延片，在所述P型掺杂层上覆盖图形化的光刻胶，然后在P型掺杂层上未覆盖光刻胶的部分沉积功函数大于等于4.6eV的金属，沉积完成后去除光刻胶，并均匀覆盖一层金属铝作为反射层。

4.根据权利要求1～2中任一项所述的紫外LED高反电极的制备方法，其特征在于，所述的紫外LED高反电极的图形化层为紧密排列的圆点状镂空网时，包括以下步骤：

提供顶部外延层为P型掺杂层的紫外LED外延片，在所述P型掺杂层上排布单层纳米微球，然后在相近纳米微球间的空隙、以及纳米微球与P型掺杂层的空隙中沉积功函数大于等于4.6eV的金属，沉积完成后去除纳米微球，并均匀覆盖一层金属铝作为反射层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述纳米微球的材质为二氧化硅、聚苯乙烯或石墨中的至少一种。

6.根据权利要求1～2任一项所述的紫外LED高反电极的制备方法，其特征在于，所述的紫外LED高反电极的图形化层呈岛状分布时，包括以下步骤：

提供顶部外延层为P型掺杂层的紫外LED外延片，在所述P型掺杂层上直接沉积功函数大于等于4.6eV的金属，沉积完成后在惰性气氛下进行退火，得到岛状分布的金属团簇，然后均匀覆盖一层金属铝作为反射层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述惰性气氛由氮气或氩气提供，所述退火温度为600℃～1000℃，所述退火时间为5min～60min。

8.一种紫外LED，其特征在于，包括权利要求1～2任一项所述的紫外LED高反电极。