[发明专利]一种肖特基二极管结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110298551.0 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN112864255A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 侯欣蓝;张清纯 | 申请（专利权）人： | 光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种肖特基二极管结构及其制造方法。肖特基二极管结构包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层上的漂移层，漂移层中具有背向半导体衬底层一侧的多个间隔的凹槽，多个凹槽沿着第一方向排布；掺杂层，掺杂层位于凹槽沿着第一方向的同一单侧侧部的漂移层中，掺杂层的导电类型与漂移层的导电类型相反；肖特基接触电极，位于漂移层背向半导体衬底层的一侧且填充在凹槽中。本发明提供的肖特基二极管结构导通电阻较低且维持器件较小的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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