[发明专利]一种PVT法生长碳化硅的剩余原料的回收利用方法在审
| 申请号： | 202110296105.6 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113044843A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨化兴软控科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/956 | 分类号： | C01B32/956;C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 赵君 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市高新技术产业开发区哈工大沿海*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种PVT法生长碳化硅的剩余原料的回收利用方法，它属于碳化硅原料回收领域。本发明要解决的技术问题为PVT法生长碳化硅的剩余原料的低效回收问题。本发明碳化硅晶体生长结束后，取碳化硅晶体生长后的原料，破碎为0.1‑1cm的颗粒原料置于球磨机中，球磨后加入高纯水中搅拌，静置后倒掉上层悬浮物及水，保留下层沉淀原料烘干后，置于马弗炉中600～850℃灼烧得到初级回收SiC粉体用氢氟酸洗涤，然后经超纯水洗涤、过滤、干燥，得到高纯SiC粉体掺入或不掺入新的碳化硅原料，气氛保护下加热至1900‑2200℃，保温5‑40h，冷却后得到5N级高纯SiC粉体。本发明制备方法简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 生长 碳化硅 剩余 原料 回收 利用 方法 | ||
【主权项】：
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