[发明专利]基于硅基PIN探测器的n-p-i-n光电三极管及其制备方法

摘要

一种基于硅基PIN探测器的n‑p‑i‑n光电三极管及其制备方法，该n‑p‑i‑n光电三极管包括衬底；本征I层，形成于衬底上；P+层，形成于本征I层上；N+层，形成于P+层上，作为n‑p‑i‑n光电三极管的发射极；钝化减反膜，形成于N+层上，用于保护n‑p‑i‑n光电三极管的正面和对接收的红外脉冲激光信号起到增透的效果；正面电极，形成于N+层上，通过环形刻蚀钝化减反膜得到；以及背面电极，形成于衬底的背面。本发明的n‑p‑i‑n光电三极管，在硅基PIN探测器的基础上，通过在PIN探测器的P+层上进行一次高浓度的离子注入形成N+层，作为n‑p‑i‑n光电三极管的发射极，实现了将PIN探测器转化为n‑p‑i‑n型光电三极管的新型器件结构。