[发明专利]氮化镓场效应晶体管的可靠性内置自测装置、电路和方法在审
| 申请号： | 202110275812.7 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113764297A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 赖昱安;陈建宏;黄若榕;杨钧沂;陈昆龙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L29/78;H01L29/20 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为一种氮化镓场效应晶体管的可靠性内置自测装置、电路和方法。所述装置包括：高端氮化镓场效应晶体管；低端氮化镓场效应晶体管；高端驱动器，耦合到所述高端氮化镓场效应晶体管的栅极；低端驱动器，耦合到所述低端氮化镓场效应晶体管的栅极；以及驱动器电路，耦合到所述高端驱动器和所述低端驱动器并被配置成产生能够驱动所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管的驱动信号，其中在所述高端驱动器和所述低端驱动器及所述驱动器电路内，所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管及所述晶体管在前道(FEOL)工艺期间在同一半导体器件层上被图案化。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 场效应 晶体管 可靠性 内置 自测 装置 电路 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
