[发明专利]一种具有高含量氧空位缺陷的黑色二氧化钛B纳米片制备方法有效
| 申请号： | 202110271040.X | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113336265B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 郭林;康建新;张彦 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C01G23/053 | 分类号： | C01G23/053;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高含量氧空位缺陷的黑色二氧化钛B纳米片制备方法，以定量的乙二醇为溶剂，以四氯化钛盐酸溶液为钛源，混合搅拌至溶液变棕色；将上述棕色溶液放入到反应釜中，置于恒温箱150‑180℃中静置4‑6小时，将得到的白色二氧化钛B沉淀经离心洗涤干燥研磨后待用；将得到的白色粉末在惰性气体250‑350℃中退火2‑3小时得到黑色二氧化钛B纳米片，并利用其降解有机染料。本发明制得的黑色二氧化钛纳米片聚集体粒度均匀150‑200nm，外延薄片厚度1‑2nm，仅通过材料表面化学吸附的乙二醇分子的热分解得到高含量的氧空位缺陷，方法温和，简单，不需高温高压和添加额外还原剂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 含量 空位 缺陷 黑色 氧化 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
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