[发明专利]CIS器件的隔离结构制作方法

摘要

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种CIS(CMOS Image Sensor，CMOS图像传感器)器件的隔离结构制作方法。CIS器件的隔离结构制作方法包括以下步骤：提供所述CIS器件的基底层，所述基底层包括相对的上表面和下表面；在所述基底层的上表面上制作形成硬质掩模层；通过光刻刻蚀工艺，使得所述硬质掩模层定义出所述隔离结构的图案；基于带有所述图案的硬质掩模层，进行多次刻蚀，使得按照刻蚀先后顺序，各次刻蚀过程中刻蚀速率，先逐渐递增后逐渐递减，以刻蚀去除未覆盖有所述硬质掩模层的基底层，形成由中间向上、下两端逐渐缩小的隔离沟槽。本申请可以解决采用相关技术所制作的CIS器件容易产生信号串扰的问题。