[发明专利]隔离结构的制造方法有效
| 申请号： | 202110268128.6 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113113471B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 许昭昭 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种隔离结构制造方法。该方法包括：在衬底层上进行光刻，形成第一光刻图形；第一光刻图形定义出隔离结构的N型区和P型区；基于第一光刻图形，进行N型杂质离子注入，使得在N型区中形成N型杂质注入层；通过热过程，使得N型杂质注入层加深；在衬底层上进行光刻，形成第二光刻图形；基于第二光刻图形，进行P型杂质离子注入，使得在N型区和P型区中均形成P型杂质注入层；通过热扩散，使得N型杂质注入层中的P型杂质离子被补偿，最终形成N型埋层，使得P型区中的P型杂质离子向下扩散，P型区中的P型杂质注入层加深形成最终P型埋层。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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