[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置在审
| 申请号： | 202110268051.2 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113496889A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 细谷正德;王汤贵 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够在防止氮化硅的劣化的同时对氧化硅进行蚀刻。所述蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，准备具有由氧化硅形成的第一区域和由氮化硅形成的第二区域的基板；工序(b)，使所述基板暴露在包含碳氟化合物气体的第一处理气体的等离子体中，对所述第一区域进行蚀刻，并在所述第一区域和所述第二区域上形成包含碳氟化合物的沉积物；工序(c)，通过所述沉积物中包含的碳氟化合物的自由基来对所述第一区域和所述第二区域进行蚀刻；以及工序(d)，通过不包含氧的第二处理气体的等离子体来去除所述沉积物。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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