[发明专利]一种应用于集成电路高低压隔离的反向电场耦合隔离结构有效
| 申请号： | 202110264250.6 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113054004B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 孙瑞泽;赖静雪;刘超;陈万军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/088;H01L21/765 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种应用于集成电路高低压隔离的反向电场耦合隔离结构。相对于传统凹槽隔离结构，本发明在凹槽隔离结构内部设置金属电极，该隔离金属电极连接负电源(或零电位)，通过改变凹槽结构的形状，绝缘层介质在不同位置的厚度和形状，凹槽内形成的金属电极的数目和位置，以及不同金属电极的电位来调整所述隔离结构产生的反向电场，以此影响高压器件与低压器件之间的电场分布，达到抑制高低压器件间串扰现象的作用。本发明的有益效果：有效抑制高低压器件之间的串扰现象，占据面积小，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 集成电路 低压 隔离 反向 电场 耦合 结构 | ||
【主权项】：
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