[发明专利]一种应用于集成电路高低压隔离的反向电场耦合隔离结构有效
| 申请号： | 202110264250.6 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113054004B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 孙瑞泽;赖静雪;刘超;陈万军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/088;H01L21/765 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 集成电路 低压 隔离 反向 电场 耦合 结构 | ||
1.一种应用于集成电路高低压隔离的反向电场耦合隔离结构，所述集成电路为将高压器件(10)和低压器件(20)集成在同一衬底上，其特征在于，所述隔离结构包括凹槽(09)、绝缘层(07)和金属电极(08)；所述凹槽(09)沿垂直方向由集成电路上表面延伸至集成电路缓冲层中；绝缘层(07)覆盖凹槽(09)的底部和侧面，并沿集成电路表面向两侧延伸至分别与高压器件(10)的漏极和低压器件(20)的源极接触；金属电极(08)填充于凹槽(09)内，并通过绝缘层(07)与集成电路隔离，金属电极(08)与负电源相连；所述隔离结构在高压器件(10)与低压器件(20)之间形成一个反向电场，从而减小高压器件漏极对低压器件源极和栅极的电场影响；所述金属电极(08)包括第一金属电极和第二金属电极，第一金属电极靠近高压器件(10)一侧，第二金属电极靠近低压器件(20)一侧，第一金属电极电位为零，第二金属电极电位为负。
2.根据权利要求1所述的一种应用于集成电路高低压隔离的反向电场耦合隔离结构，其特征在于，所述隔离结构所产生的反向电场强度，通过凹槽(09)的形状和/或绝缘层(07)的厚度和/或金属电极(08)的数量进行调整；多个金属电极(08)之间通过绝缘层(07)隔离。
3.根据权利要求2所述的一种应用于集成电路高低压隔离的反向电场耦合隔离结构，其特征在于，所述凹槽(09)的形状为矩形、梯形、V字型和T字形中的一种。
4.根据权利要求3所述的一种应用于集成电路高低压隔离的反向电场耦合隔离结构，其特征在于，所述绝缘层(07)在靠近高压器件(10)一侧的厚度大于靠近低压器件(20)一侧的厚度。
5.根据权利要求4所述的一种应用于集成电路高低压隔离的反向电场耦合隔离结构，其特征在于，所述绝缘层(07)底部的厚度，从靠近高压器件(10)一侧到低压器件(20)一侧递减。
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