[发明专利]一种基于片上熔丝实现通断型PUF的集成电路有效
| 申请号： | 202110259822.1 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113051629B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 顾豪爽;詹慕文;万美琳;章珍珍;张寅;贺章擎;胡永明 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | G06F21/73 | 分类号： | G06F21/73;G11C17/16 |
| 代理公司： | 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 42258 | 代理人： | 刘丹 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于片上熔丝实现通断型PUF的集成电路，采用两个完全一致的片上熔丝串联连接在电源和地之间，并在两个片上熔丝的公共端接入由截止的低阈值MOS管漏源电阻作为上拉电阻或者下拉电阻，且公共端作为PUF的输出密钥值；当工艺偏差导致某个片上熔丝先熔断时，将由剩余的未熔断片上熔丝将公共端上拉至电源或者下拉至地；而当工艺偏差小使得两个片上熔丝均熔断时，将由截止的低阈值MOS管漏源电阻将输出端上拉至电源或者下拉至地。本发明仅由两根片上熔丝及一个MOS晶体管构成，且一次上电熔断后将永久固定且直接输出密钥值，结构简单，密钥输出速度快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 片上熔丝 实现 通断型 puf 集成电路 | ||
【主权项】：
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