[发明专利]一种基于片上熔丝实现通断型PUF的集成电路

权利要求书

1.一种基于片上熔丝实现通断型物理不可克隆函数PUF的集成电路，其特征在于，采用两个完全一致的片上熔丝串联连接在电源和地之间，并在两个片上熔丝的公共端接入由截止的低阈值MOS管漏源电阻作为上拉电阻或者下拉电阻，且公共端作为PUF的输出密钥值；当工艺偏差导致某个片上熔丝先熔断时，将由剩余的未熔断片上熔丝将公共端上拉至电源或者下拉至地；而当工艺偏差小使得两个片上熔丝均熔断时，将由截止的低阈值MOS管漏源电阻将输出端上拉至电源或者下拉至地。

2.根据权利要求1所述的一种基于片上熔丝实现通断型物理不可克隆函数PUF的集成电路，其特征在于，所述片上熔丝由两头大、中间细长的金属或者多晶硅导电互联线构成，其宽度低至工艺所能允许的最小尺寸。

3.根据权利要求1所述的一种基于片上熔丝实现通断型物理不可克隆函数PUF的集成电路，其特征在于，所述两个片上熔丝的尺寸和形状完全一致，且在版图布局过程中匹配良好，两者所处环境完全一致，以在完全相同的设计环境下，获得随机的工艺偏差，进而使两个熔丝随机熔断。

4.根据权利要求1所述的一种基于片上熔丝实现通断型物理不可克隆函数PUF的集成电路，其特征在于，所述公共端的上拉电阻或者下拉电阻分别由截止的小尺寸低阈值NMOS管或者PMOS管构成，在获取较高上下拉阻值的同时，尽可能减小芯片面积；低阈值NMOS管或者PMOS管在截止时具有适当较高的漏源阻抗，在一个熔丝熔断的情况下能够有效降低电源到地的直流功耗，而在两个熔丝均熔断的情况下，仍然能够提供较快的充放电时间。

5.根据权利要求1所述的一种基于片上熔丝实现通断型物理不可克隆函数PUF的集成电路，其特征在于，所述公共端与上拉电阻或者下拉电阻连接的导电互联线宽度大于片上熔丝的宽度，以避免出现连接上拉电阻或者下拉电阻的导电互联线熔断的情况。