[发明专利]多孔氧化镓外延层及其制备方法在审
| 申请号： | 202110245587.2 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113053730A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 潘革波;张子昂;张少辉;周全 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种多孔氧化镓外延层的制备方法，其包括：对制备形成的多孔氮化镓外延层进行低温溶液预氧化处理第一预定时间；将经低温溶液预氧化处理后的所述多孔氮化镓外延层加热至预定温度；保持所述预定温度，并在高氧气体氛围以及预定压力下对加热后的所述多孔氮化镓外延层氧化处理第二预定时间，以得到多孔氧化镓外延层。还提供了一种由该制备方法制备形成的多孔氧化镓外延层。本发明以低温溶液体系、高压氧体系来使多孔氮化镓经高温氧化而转化为多孔氮化镓，能够有效地制备多孔氧化镓，并且氧化工艺对设备要求低、操作方便、流程简易且绿色环保，能够最大程度的简化氧化过程。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 氧化 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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