[发明专利]晶闸管、三端双向可控硅和瞬态电压抑制二极管制造在审
| 申请号： | 202110244078.8 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113363310A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | P·奥特克尔;V·卡洛 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李春辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及晶闸管、三端双向可控硅和瞬态电压抑制二极管制造。一种设备包括半导体衬底。在半导体衬底的外围处形成台阶。由掺杂有氧的多晶硅制成的第一层被沉积在衬底的第一表面的顶部上并且与该第一表面接触。该第一层至少在台阶的壁和底部上延伸。由玻璃制成的第二层被沉积在第一层的顶部上，并且被沉积在第一层的边缘上。第二层在台阶与设备的中心区域之间形成凸台。 | ||
| 搜索关键词： | 晶闸管 双向 可控硅 瞬态 电压 抑制 二极管 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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