[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110241686.3 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113380611A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 曾凯迪;李振铭;杨复凯;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：栅极堆叠件；位于栅极堆叠件的侧壁上的栅极间隔件；邻近栅极堆叠件的源极/漏极区；硅化物；以及通过硅化物电连接到源极/漏极区的源极/漏极接触件。硅化物包括：共形的第一部分，该共形的第一部分在源极/漏极区中，该共形的第一部分包含金属和硅；以及共形的第二部分，该共形的第二部分在共形的第一部分上方，该共形的第二部分进一步设置在栅极间隔件的侧壁上，该共形的第二部分包含金属、硅和氮。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
