[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202110236077.9 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113035699B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 伍林;赵志超 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有栅氧化层及栅极材料层；进行具有第一偏置电压和第一工艺时间的主刻蚀，刻蚀部分厚度的所述栅极材料层；进行具有第二偏置电压和第二工艺时间的着陆刻蚀，刻蚀剩余的所述栅极材料层以形成栅极；其中，所述主刻蚀的过程中所述栅极材料层对所述栅氧化层的第一选择比小于所述着陆刻蚀的过程中所述栅极材料层对所述栅氧化层的第二选择比。本发明采用具有不同工艺参数的主刻蚀和着陆刻蚀，在改善栅极的剖面轮廓的同时提高了刻蚀工艺中栅极材料层与栅氧化层的刻蚀选择比，从而减少所述栅氧化层的损耗，优化了工艺窗口，改善了半导体器件的栅极形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
