[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202110236077.9 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113035699B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 伍林;赵志超 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上依次形成有栅氧化层及栅极材料层，所述栅极材料层上形成有介电抗反射层，所述栅极材料层为多晶硅层；
进行具有第一偏置电压和第一工艺时间的主刻蚀，刻蚀部分厚度的所述栅极材料层；以及
进行具有第二偏置电压和第二工艺时间的着陆刻蚀，刻蚀剩余的所述栅极材料层以形成栅极；
其中，所述主刻蚀之前还包括预刻蚀，以形成图案化的介电抗反射层，所述主刻蚀和所述着陆刻蚀均为干法刻蚀，所述主刻蚀的过程中所述栅极材料层对所述栅氧化层的第一选择比小于所述着陆刻蚀的过程中所述栅极材料层对所述栅氧化层的第二选择比，所述主刻蚀和所述着陆刻蚀的工艺气体均包括刻蚀气体和聚合物气体，且所述刻蚀气体包括氯气和溴化氢，所述聚合物气体包括氧气，所述主刻蚀中氯气和溴化氢的流量的比值小于所述着陆刻蚀中氯气和溴化氢的流量的比值，所述主刻蚀中氧气的流量大于所述着陆刻蚀中氧气的流量。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一工艺时间为40s~60s，所述第二工艺时间为15s~25s。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一偏置电压的范围为150V~250V，所述第二偏置电压的范围为100V~150V。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一选择比的范围为100~150，所述第二选择比的范围为150~200。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述主刻蚀中所述氯气的气体流量为70sccm~90sccm，所述溴化氢的气体流量为350sccm~370sccm，所述氧气的气体流量为5sccm~7sccm；所述着陆刻蚀中所述氯气的气体流量为100sccm~130sccm，所述溴化氢的气体流量为310sccm~340sccm，所述氧气的气体流量为3sccm~5sccm。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述着陆刻蚀后还包括过刻蚀，以去除所述栅氧化层上残留的所述栅极材料层。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法用于制造图像传感器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
