[发明专利]圆片级纳米针尖及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202110232359.1 申请日: 2021-03-02
公开(公告)号: CN112986622B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 刘美杰;杨晋玲;朱银芳;杨富华 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G01Q70/08 分类号: G01Q70/08;G01Q70/16
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周天宇
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种圆片级纳米针尖及其制作方法,方法包括:刻蚀硅基衬底,得到第一针尖原胚,其中,第一针尖原胚的最细处尺寸为微米或者亚微米尺度;对第一针尖原胚进行第一热氧化,去除第一针尖原胚的表面缺陷,刻蚀第一热氧化后的第一针尖原胚得到第二针尖原胚;对第二针尖原胚进行至少一次第二热氧化,使第二针尖原胚进入自限制热氧化阶段,直到第二针尖原胚的针尖曲率半径达到一临界值,得到圆片级纳米针尖,其中,每次第二热氧化后均对第二针尖原胚进行刻蚀。本发明通过高温热氧化工艺和低温热氧化工艺相结合的方法,先去除纳米针尖原胚的表面缺陷,再对圆片范围内的纳米针尖尺寸进行精确控制,实现了纳米针尖的高成品率规模化制作。
搜索关键词: 圆片级 纳米 针尖 及其 制作方法
【主权项】:
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