[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110221056.X | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113363205A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 张哲纶;李威养;林家彬;彭远清 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了包括具有增大的背面部分的背面通孔的半导体器件及其形成方法。在实施例中，一种器件包括：第一晶体管结构，在第一器件层中；正面互连结构，在第一器件层的正面上；第一介电层，在第一器件层的背面上；第一接触件，穿过第一介电层延伸到第一晶体管结构的源极/漏极区；以及背面互连结构，在第一介电层和第一接触件的背面上，第一接触件包括具有第一锥形侧壁的第一部分和具有第二锥形侧壁的第二部分，第一锥形侧壁的宽度在朝着第二锥形侧壁的方向上变窄，并且第二锥形侧壁的宽度在朝向背面互连结构的方向上变宽。本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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