[发明专利]一种具有凹陷沟槽的场效应晶体管在审
| 申请号： | 202110219297.0 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113035956A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 柴力 | 申请（专利权）人： | 中之半导体科技（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 523430 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明系提供一种具有凹陷沟槽的场效应晶体管，包括衬底，衬底上层叠有外延层、沟道掺杂层、源极层和源极金属层，衬底下设有漏极金属层，外延层中设有贯穿沟道掺杂层、源极层和源极金属层的凹槽；凹槽的底部设有位于外延层中的保护层，保护层呈U形包裹于凹槽的底部；凹槽中填充有栅极电介质层，栅极电介质层中设有栅极沉积层，栅极沉积层的底部设有抗击层，栅极沉积层中设有栅极金属层，栅极金属层、栅极沉积层和栅极电介质层的顶面共面。本发明栅极区域对导电沟道的调节迅速且可靠，具有低介电常数的抗击层具有良好的强电场抵抗能力，保护层与外延层之间形成的PN结可削弱抗击层处形成的电场，整体结构耐压性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 凹陷 沟槽 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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