[发明专利]具有绝缘栅晶体管单元和整流结的半导体器件在审
| 申请号： | 202110215083.6 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113327981A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | T·巴斯勒;H-G·埃克尔;J·富尔曼;D·皮特斯;F·斯托默 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;周学斌 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了具有绝缘栅晶体管单元和整流结的半导体器件。一种半导体器件(500)包括绝缘栅晶体管单元(TC)、漏极区/漂移区(130)、阴极区(410)、阳极区/分离区(420)和源极电极(310)。绝缘栅晶体管单元(TC)包括源极区(110)和栅极电极(155)。源极区(110)被形成在碳化硅本体(100)中。阴极区(410)被形成在碳化硅本体(100)中。栅极电极(155)和阴极区(410)电连接。阴极区(410)、源极区(110)和漏极区/漂移区(130)具有第一导电类型。阳极区/分离区(420)具有第二导电类型并且被形成在阴极区(410)和漏极区/漂移区(130)之间。源极电极(310)和源极区(110)电连接。源极电极(310)和阳极区/分离区(420)彼此接触。整流结(490)被电耦合在源极电极(310)和阴极区(410)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘 晶体管 单元 整流 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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