[发明专利]高段差半导体器件平坦化方法在审
| 申请号： | 202110195142.8 | 申请日： | 2021-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN114975109A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 康大沃;张月;杨涛;卢一泓;田光辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 苑晨超 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高段差半导体器件平坦化方法，包括：在具有高段差的第一材料膜层上形成第二材料膜层，所述第二材料膜层至少覆盖所述第一膜层材料的凹陷区域；采用具有高选择比的刻蚀工艺对所述第一材料膜层的凸起区域和所述第二材料膜层进行刻蚀，以使所述第一材料膜层和第二材料膜层处于同一平面；采用平坦化工艺对所述第一材料膜层和第二材料膜层进行处理，以去除全部的第二材料膜层并使第一材料膜层平坦化。本发明提供的技术方案，能够通过形成第二材料膜层以及刻蚀过程，使半导体器件在平坦化处理前处于接近平面的状态，避免半导体器件在平坦化过程中出现碟陷缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 高段差 半导体器件 平坦 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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