[发明专利]高段差半导体器件平坦化方法在审
| 申请号： | 202110195142.8 | 申请日： | 2021-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN114975109A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 康大沃;张月;杨涛;卢一泓;田光辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 苑晨超 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高段差 半导体器件 平坦 方法 | ||
1.一种高段差半导体器件平坦化方法，其特征在于，包括：
在具有高段差的第一材料膜层上形成第二材料膜层，所述第二材料膜层至少覆盖所述第一膜层材料的凹陷区域；
采用具有高选择比的刻蚀工艺对所述第一材料膜层的凸起区域和所述第二材料膜层进行刻蚀，以使所述第一材料膜层和第二材料膜层处于同一平面；
采用平坦化工艺对所述第一材料膜层和第二材料膜层进行处理，以去除全部的第二材料膜层并使第一材料膜层平坦化。
2.根据权利要求1所述高段差半导体器件平坦化方法，其特征在于，所述刻蚀工艺对所述第一材料膜层和所述第二材料膜层的选择比不小于50：1。
3.根据权利要求1所述高段差半导体器件平坦化方法，其特征在于，所述第二材料膜层为旋转涂布膜层或者光刻胶。
4.根据权利要求1所述高段差半导体器件平坦化方法，其特征在于，所述第二材料膜层覆盖所述第一材料膜层的凸起区域和凹陷区域，所述凸起区域的第二材料膜层厚度小于所述凹陷区域的第二材料膜层厚度。
5.根据权利要求4所述高段差半导体器件平坦化方法，其特征在于，所述凹陷区域的第二材料膜层厚度不大于500埃米，所述凸起区域的第二材料膜层的厚度不大于100埃米。
6.根据权利要求4所述高段差半导体器件平坦化方法，其特征在于，采用具有高选择比的刻蚀工艺对所述第一材料膜层的凸起区域和所述第二材料膜层进行刻蚀包括：
刻蚀所述凸起区域的全部第二材料膜层和凹陷区域的部分第二材料膜层，以暴露凸起区域的第一材料膜层；
刻蚀部分第一材料膜层和凹陷区域的部分第二材料膜层，以使暴露的第一材料膜层与第二材料膜层处于同一平面。
7.根据权利要求1所述高段差半导体器件平坦化方法，其特征在于，所述平坦化工艺对所述第一材料膜层和第二材料膜层的去除速率比值为1:1。
8.根据权利要求1所述高段差半导体器件平坦化方法，其特征在于，在具有高段差的第一材料膜层上形成第二材料膜层包括：
将具有流动性的第二材料形成于第一材料膜层表面，以使所述第二材料在所述第一材料膜层表面自然流动成型；
对所述第二材料进行硬化，以形成第二材料膜层。
9.根据权利要求1所述高段差半导体器件平坦化方法，其特征在于，所述半导体器件为制备了以电容作为存储单元的集成电路的晶圆，所述凸起区域为存储单元对应的区域，所述凹陷区域为外围电路对应的区域。
10.根据权利要求9所述高段差半导体器件平坦化方法，其特征在于，所述第一材料膜层为覆盖于所述存储单元和所述外围电路上的氧化物介质膜层。
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