[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110193925.2 | 申请日： | 2021-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN114256327A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 金进雄 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体器件，其包括：沟槽，其在衬底中限定有源区；第一半导体内衬，其形成在沟槽之上；第二半导体内衬，其形成在第一半导体内衬之上；以及器件隔离层，其形成在第二半导体内衬之上并填充沟槽。本公开还提供了一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底中形成限定有源区的沟槽；在沟槽上方形成多个半导体内衬；在形成每个半导体内衬之前执行预处理；以及在形成每个半导体内衬之后执行后处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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