[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202110189435.5 | 申请日： | 2021-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN114975573A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 林永丰;周钰杰;林琮翔;庄理文 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 方艳平 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高电子迁移率晶体管，其中半导体通道层及半导体阻障层设置于基底上。图案化半导体保护层设置于半导体阻障层上，且图案化半导体盖层设置于图案化半导体保护层及半导体阻障层之间。层间介电层覆盖图案化半导体盖层及图案化半导体保护层，且层间介电层包括闸极接触洞。闸极电极设置于闸极接触洞内且电连接该图案化半导体盖层，其中闸极电极及图案化半导体盖层之间存在图案化半导体保护层。图案化半导体保护层的电阻率介于图案化半导体盖层的电阻率及层间介电层的电阻率之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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