[发明专利]一种直接制备银纳米线/铕掺杂钼酸钙复合发光透明导电薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 202110188567.6 申请日: 2021-02-19
公开(公告)号: CN112992424B 公开(公告)日: 2021-11-12
发明(设计)人: 潘道成;王宇祥 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B5/14;H01L31/0224;H01L31/055;H01L31/18;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 代理人: 周蕾
地址: 130022 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及一种直接制备银纳米线/铕掺杂钼酸钙复合发光透明导电薄膜的方法,属于发光透明导电薄膜制备技术领域。解决现有银纳米线/无机金属氧化物复合导电薄膜制备工艺复杂且不具备发光功能的技术问题。该方法包括:制备铕掺杂钼酸钙的分子前体溶液;将前体溶液与银纳米线的分散液混合得到混合分散液,经过一步溶液成膜的方法成膜;最后经过低温退火获得。该方法实现一步法直接制备银纳米线/铕掺杂钼酸钙复合发光透明导电薄膜,大大简化了制备工艺,节约了生成成本,制备的发光透明导电薄膜具有良好的机械强度、较高的可见光透过率和较低的方阻,最重要的是可以把短波长的紫外光转变成长波长的红光,拓宽太阳能电池的光谱响应范围。
搜索关键词: 一种 直接 制备 纳米 掺杂 钼酸 复合 发光 透明 导电 薄膜 方法
【主权项】:
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