[发明专利]超大电流高di/dt晶闸管管芯结构在审
| 申请号： | 202110183989.4 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN112909070A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 夏吉夫;夏禹清;潘峰 | 申请（专利权）人： | 锦州市圣合科技电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/74 |
| 代理公司： | 锦州辽西专利事务所(普通合伙) 21225 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 121000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
一种大电流高电压、高电流上升率的超大电流高di/dt晶闸管管芯结构，包括硅片、门极、阴极和台面保护，其特殊之处是：所述硅片为N型(100)晶向的中照单晶硅片，在硅片上进行双面P层扩散形成P1层和P2层，P1层表面研磨后扩P |
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| 搜索关键词： | 超大 电流 di dt 晶闸管 管芯 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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