[发明专利]磁场增强组件以及磁场增强器件在审
申请号: | 202110183910.8 | 申请日: | 2021-02-10 |
公开(公告)号: | CN114910838A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 赵乾;池中海;孟永钢;郑卓肇;周济 | 申请(专利权)人: | 清华大学;北京清华长庚医院 |
主分类号: | G01R33/34 | 分类号: | G01R33/34;G01R33/38 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 魏朋 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。第一电极层设置于第一表面,靠近第二端设置。第二电极层设置于第一表面,并与第一电极层间隔设置,且靠近第一端设置。第三电极层设置于第二表面,并靠近第二端设置,第三电极层在第一电介质层的正投影和第一电极层在第一电介质层的正投影部分重合,形成第二结构电容。第四电极层设置于第二表面,并与第三电极层间隔设置,且靠近第一端设置,第四电极层在第一电介质层的正投影和第二电极层在第一电介质层的正投影部分重合,形成第三结构电容。第三谐振电路的一端与第二电极层远离第一端的一端电连接,第三谐振电路的另一端与第一电极层远离第二端的一端电连接。 | ||
搜索关键词: | 磁场 增强 组件 以及 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;北京清华长庚医院,未经清华大学;北京清华长庚医院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110183910.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。