[发明专利]磁场增强组件以及磁场增强器件

权利要求书

1.一种磁场增强组件，其特征在于，所述磁场增强组件包括：

第一电介质层(100)，具有相对设置的第一表面(101)与第二表面(102)，所述第一电介质层(100)具有相对设置的第一端(103)与第二端(104)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，并靠近所述第二端(104)设置；

第二电极层(120)，设置于所述第一表面(101)，并与所述第一电极层(110)间隔设置，且靠近所述第一端(103)设置；

第三电极层(130)，设置于所述第二表面(102)，并靠近所述第二端(104)设置，所述第三电极层(130)在所述第一电介质层(100)的正投影和所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重合，形成第二结构电容(302)；

第四电极层(140)，设置于所述第二表面(102)，并与所述第三电极层(130)间隔设置，且靠近所述第一端(103)设置，所述第四电极层(140)在所述第一电介质层(100)的正投影和所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重合，形成第三结构电容(303)；

第三谐振电路(400)，所述第三谐振电路(400)的一端与所述第二电极层(120)远离所述第一端(103)的一端电连接，所述第三谐振电路(400)的另一端与所述第一电极层(110)远离所述第二端(104)的一端电连接。

2.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第三谐振电路(400)与所述第三结构电容(303)之间的所述第二电极层(120)的宽度小于所述第一电介质层(100)的宽度；

所述第三谐振电路(400)与所述第二结构电容(302)之间的所述第一电极层(110)的宽度小于所述第一电介质层(100)的宽度。

3.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第三谐振电路(400)包括：

第六电容(306)，所述第六电容(306)的一端与所述第二电极层(120)远离所述第一端(103)的一端电连接，所述第六电容(306)的另一端与所述第一电极层(110)远离所述第二端(104)的一端电连接。

4.如权利要求3所述的磁场增强组件，其特征在于，沿着所述第一端(103)至所述第二端(104)的方向，所述第六电容(306)与所述第三结构电容(303)之间的所述第二电极层(120)的长度和所述第六电容(306)与所述第二结构电容(302)之间的所述第一电极层(110)的长度的比例为1:9。

5.如权利要求3所述的磁场增强组件，其特征在于，所述磁场增强组件还包括：

第五电极层(141)，设置于所述第一表面(101)，并与所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)均间隔设置，所述第五电极层(141)设置于所述第一电极层(110)与所述第二电极层(120)之间；

所述第六电容(306)的一端与所述第二电极层(120)远离所述第一端(103)的一端电连接，所述第六电容(306)的另一端与所述第五电极层(141)靠近所述第二电极层(120)的一端电连接；

第六电极层(121)，设置于所述第二表面(102)，并与所述第三电极层(130)和所述第四电极层(140)均间隔设置，所述第六电极层(121)设置于所述第四电极层(140)与所述第三电极层(130)之间，所述第六电极层(121)在所述第一电介质层(100)的正投影和所述第五电极层(141)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重合，形成第一结构电容(301)；

第四电感(307)，所述第四电感(307)的一端与所述第六电极层(121)靠近所述第三电极层(130)的一端电连接，所述第四电感(307)的另一端与所述第三电极层(130)远离所述第二端(104)的一端电连接。