[发明专利]磁场增强组件以及磁场增强器件

说明书

本申请涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。第一电极层设置于第一表面，靠近第二端设置。第二电极层设置于第一表面，并与第一电极层间隔设置，且靠近第一端设置。第三电极层设置于第二表面，并靠近第二端设置，第三电极层在第一电介质层的正投影和第一电极层在第一电介质层的正投影部分重合，形成第二结构电容。第四电极层设置于第二表面，并与第三电极层间隔设置，且靠近第一端设置，第四电极层在第一电介质层的正投影和第二电极层在第一电介质层的正投影部分重合，形成第三结构电容。第三谐振电路的一端与第二电极层远离第一端的一端电连接，第三谐振电路的另一端与第一电极层远离第二端的一端电连接。

技术领域

本申请涉及磁共振成像技术领域，特别是涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。

背景技术

MRI(Magnetic Resonance Imaging，核磁共振成像技术)为非介入探测方式，是医药、生物、神经科学领域的一项重要的基础诊断技术。传统MRI设备传输的信号强度主要取决于静磁场B0的强度，采用高磁场甚至超高磁场系统可以提高图像的信噪比、分辨率和缩短扫描时间。但是，静磁场强度的增加会带来如下三个问题：1)射频(RF)场非均匀性增大，调谐难度增加；2)人体组织产热增加，带来安全隐患，患者还容易出现眩晕和呕吐等不良反应：3)购置成本大幅度增加，对大多数小规模医院来说是一种负担。因此，如何采用尽量小的静磁场强度同时能够获得高的成像质量成为MRI技术中一个至关重要的问题。

其中，通过在MRI中引入具有高介电常数的板或柱状的介电谐振子来提高射频磁场的强度和降低比吸收率，从而达到提高成像分辨率和减小信噪比的效果，是一种能有效提高MRI特征的新趋势。超构材料的出现为MRI成像质量和效率的提高，提供了一种新颖的更有效的方法。超构材料具有许多天然材料所不具备的特殊性质。通过电磁波与超构材料的金属或电介质基元间的相互作用及基元间的耦合效应，可以实现对电磁波传播路径与电磁场场强分布的控制。其中，具体工作原理是利用超构材料形成的结构中的电磁谐振，实现呈各向异性和梯度分布等电磁参数的调节。并且，通过对超构材料的几何尺寸、形状和介电常数等参数的设计，能够实现对不同频点的谐振增强。

然而，传统的磁场增强组件包括电介质板和分别位于电介质板正面和背面的第一电极和第二电极。第二电极在电介质板上的正投影位于第一电极在电介质板上正投影的两端，以构成平行板电容器。此时，传统的磁场增强组件中形成的两个平行板电容器分别位于电介质板的两端，使得磁场增强组件的谐振频率容易受到受测物体的影响，导致磁场增强组件的增强性能降低。

发明内容

基于此，针对上述问题，有必要提供一种磁场增强组件以及磁场增强器件。

本申请提供一种磁场增强组件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第三电极层、第四电极层以及第三谐振电路。第一电介质层具有相对设置的第一表面与第二表面。所述第一电介质层具有相对设置的第一端与第二端。第一电极层设置于所述第一表面，并靠近所述第二端设置。第二电极层设置于所述第一表面，并与所述第一电极层间隔设置，且靠近所述第一端设置。第三电极层设置于所述第二表面，并靠近所述第二端设置，所述第三电极层在所述第一电介质层的正投影和所述第一电极层在所述第一电介质层的正投影部分重合，形成第二结构电容。第四电极层设置于所述第二表面，并与所述第三电极层间隔设置，且靠近所述第一端设置，所述第四电极层在所述第一电介质层的正投影和所述第二电极层在所述第一电介质层的正投影部分重合，形成第三结构电容。所述第三谐振电路的一端与所述第二电极层远离所述第一端的一端电连接，所述第三谐振电路的另一端与所述第一电极层远离所述第二端的一端电连接。