[发明专利]外延结构、发光器件和外延结构的制作方法有效
| 申请号： | 202110183455.1 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN114038963B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 翟小林;杨顺贵;张青洲;张海林;周毅 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种外延结构、发光器件及外延结构的制作方法，外延结构包括依次形成在衬底上的缓冲层和应力释放层，应力释放层包括第一应力释放层，第一应力释放层的材质为AlGaN，其中，Al组分含量占比为50％‑90％。第一应力释放层的材质为Al组分含量较高的AlGaN，可预先引入压应力，实现高质量无裂纹的GaN薄膜外延生长。高Al组分的第一应力释放层不仅过滤大量位错，而且引入的压应力使得部分位错转弯煙灭，最终实现镜面光滑无裂纹且低位错密度的GaN薄膜，在衬底尺寸较大的情况下控制外延结构的应力水平，进而控制波长均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 结构 发光 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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