[发明专利]外延结构、发光器件和外延结构的制作方法有效
| 申请号： | 202110183455.1 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN114038963B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 翟小林;杨顺贵;张青洲;张海林;周毅 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 结构 发光 器件 制作方法 | ||
1.一种外延结构，其特征在于，包括：
衬底；
缓冲层，形成在所述衬底上；以及
应力释放层，所述应力释放层包括第一应力释放层，所述第一应力释放层形成在所述缓冲层上，所述第一应力释放层的材质为AlGaN，其中，Al组分含量占比为50％-90％；
所述应力释放层还包括第二应力释放层、第三应力释放层和第四应力释放层，所述第二应力释放层形成在所述第一应力释放层上，所述第三应力释放层形成在所述第二应力释放层上，所述第四应力释放层形成在所述第三应力释放层上；
其中，所述第二应力释放层的材质为AlN，Ⅴ/Ⅲ比为400-1000；所述第三应力释放层为第一子应力释放层和第二子应力释放层交替生长形成的超晶格结构，且起始生长所述第一子应力释放层，交替生长周期不大于100，所述第一子应力释放层的材质为AlN，所述第二子应力释放层的材质为GaN；所述第四应力释放层的材质为AlN，Ⅴ/Ⅲ比为30-100；
其中，Ⅴ/Ⅲ比是指化合物中元素周期表中Ⅴ族元素和Ⅲ族元素的质量占比。
2.一种发光器件，其特征在于，包括如权利要求1所述的外延结构。
3.一种外延结构的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成应力释放层；
其中，所述应力释放层包括第一应力释放层，所述第一应力释放层形成在所述缓冲层上，所述第一应力释放层的材质为AlGaN，Al组分含量占比为50％-90％；
所述应力释放层还包括第二应力释放层、第三应力释放层和第四应力释放层，所述方法还包括：
在所述第一应力释放层上形成所述第二应力释放层，在所述第二应力释放层上形成所述第三应力释放层，在所述第三应力释放层上形成所述第四应力释放层；
其中，所述第二应力释放层的材质为AlN，Ⅴ/Ⅲ比为400-1000；所述第三应力释放层为第一子应力释放层和第二子应力释放层交替生长形成的超晶格结构，且起始生长所述第一子应力释放层，交替生长周期不大于100，所述第一子应力释放层的材质为AlN，所述第二子应力释放层的材质为GaN；所述第四应力释放层的材质为AlN，Ⅴ/Ⅲ比为30-100；
其中，Ⅴ/Ⅲ比是指化合物中元素周期表中Ⅴ族元素和Ⅲ族元素的质量占比。
4.如权利要求3所述的外延结构的制作方法，其特征在于，在温度大于1000℃，压力小于75mbar的条件下形成所述第一应力释放层，所述第一应力释放层的厚度为50-150nm。
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