[发明专利]深沟槽中外延生长的方法在审
| 申请号： | 202110173513.2 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN114914191A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭;杨瑞坤;赵立新;李朝勇;邱裕明;张拥华 | 申请（专利权）人： | 格科半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种深沟槽中外延生长的方法，包括：S1：在半导体基底中形成深沟槽；S2：在小于30托的低压条件下，在所述深沟槽中沉积外延层；S3：刻蚀所述外延层以使所述深沟槽的开口敞开；重复上述步骤S2，S3直至所述外延层填满所述深沟槽的2/3以上深度。本发明先通过重复低压沉积‑刻蚀的循环，使得外延层填满深沟槽的2/3以上深度，后续可以继续采用低压沉积‑刻蚀的循环，也可以采用30托的高压沉积或者高压沉积‑刻蚀的循环（如有必要），直至外延层完全填满深沟槽的全部深度，解决了高深宽比（30：1以上）沟槽中外延生长的孔洞缺陷问题，提高了外延层的质量，改善了器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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