[发明专利]深沟槽中外延生长的方法在审
| 申请号： | 202110173513.2 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN114914191A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭;杨瑞坤;赵立新;李朝勇;邱裕明;张拥华 | 申请（专利权）人： | 格科半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深沟 外延 生长 方法 | ||
1.一种深沟槽中外延生长的方法，其特征在于，包括：
S1：在半导体基底中形成深沟槽；
S2：在小于30托的低压条件下，在所述深沟槽中沉积外延层；
S3：刻蚀所述外延层以使所述深沟槽的开口敞开；
重复上述步骤S2，S3直至所述外延层填满所述深沟槽的2/3以上深度。
2.如权利要求1所述的深沟槽中外延生长的方法，其特征在于，重复上述步骤S2，S3直至所述外延层完全填满所述深沟槽的全部深度。
3.如权利要求1所述的深沟槽中外延生长的方法，其特征在于，在所述外延层填满所述深沟槽的2/3以上深度之后，进一步包括：
S4：在大于30托的高压条件下，在所述深沟槽中沉积外延层；
直至所述外延层完全填满所述深沟槽的全部深度。
4.如权利要求3所述的深沟槽中外延生长的方法，其特征在于，在所述步骤S4之后，进一步包括：
S5：刻蚀所述外延层以使所述深沟槽的开口敞开；
重复上述步骤S4，S5直至所述外延层完全填满所述深沟槽的全部深度。
5.如权利要求1所述的深沟槽中外延生长的方法，其特征在于，所述步骤S2中，外延气体包括氯化氢，所述氯化氢的流量随着工艺时间的持续而逐渐减少。
6.如权利要求1所述的深沟槽中外延生长的方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用氯化氢作为刻蚀气体，所述氯化氢的流量随着工艺时间的持续而逐渐增大。
7.如权利要求1所述的深沟槽中外延生长的方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述刻蚀工艺的压力随着工艺时间的持续而逐渐增大。
8.如权利要求1所述的深沟槽中外延生长的方法，其特征在于，所述深沟槽的深宽比为30:1以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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