[发明专利]紫外发光二极管、紫外LED外延层结构及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管、紫外LED外延层结构及其制备方法。本发明提供了一种紫外LED外延层结构的制备方法，其包括以下步骤：提供c面具有斜切角的纳米图形化蓝宝石衬底，其中斜切角的角度为0.5°～8°，依次衬底上生长AlN外延层、AlxGa1‑xN外延层、n‑AlyGa1‑yN接触层、AlmGa1‑mN/AlnGa1‑nN多量子阱有源层及p型接触层，其中p型接触层为p‑AlgGa1‑gN/p‑GaN超晶格接触层、p‑AlgGa1‑gN接触层及p‑GaN接触层中的至少一种，0.5≤x≤1，0.5≤y≤1，0.3≤m≤0.7，0.3≤n≤0.7，且x≥y，m≥n；0.5≤g≤1。该制备方法可以实现位错的有效湮灭、降低了位错密度，且促进了载流子局域化效应的形成，从而提高了紫外LED器件的发光效率。本发明还提供了一种紫外发光二极管芯片及紫外发光二极管。