[发明专利]集成电路闩锁测试结构在审
| 申请号： | 202110149970.8 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN114859206A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 许杞安 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;刘芳 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种集成电路闩锁测试结构。该电路包括：第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区，第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区均位于P型衬底上，第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区均位于N阱内，N阱位于P型衬底上，第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区之间具有第一距离，第一N型重掺杂区和第二P型重掺杂区之间具有第二距离，第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区之间具有第三距离，测试结构用于通过调整第一距离、第二距离和第三距离中的至少一个，测试与测试结构对应的集成电路的闩锁效应的电学参数。从而，可以测试集成电路发生闩锁效应时的电学参数。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 测试 结构 | ||
【主权项】：
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