[发明专利]集成电路闩锁测试结构

权利要求书

1.一种集成电路闩锁测试结构，其特征在于，包括：

第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区；

其中，所述第一P型重掺杂区和所述第一N型重掺杂区均位于P型衬底上，所述第二P型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区均位于N阱内，所述N阱位于所述P型衬底上；

所述第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区之间具有第一距离，所述第一N型重掺杂区和所述第二P型重掺杂区之间具有第二距离，所述第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区之间具有第三距离；

所述测试结构用于通过调整所述第一距离、所述第二距离和所述第三距离中的至少一个，测试与所述测试结构对应的集成电路的闩锁效应的电学参数。

2.根据权利要求1所述的集成电路闩锁测试结构，其特征在于，所述N阱、所述P型衬底和所述第一N型重掺杂区构成第一寄生NPN晶体管；

所述第二P型重掺杂区、所述N阱和所述P型衬底构成第一寄生PNP晶体管。

3.根据权利要求2所述的集成电路闩锁测试结构，其特征在于，所述P型衬底具有第一寄生电阻，所述第一寄生电阻的第一端连接所述第一P型重掺杂区，所述第一寄生电阻的第二端连接所述第一寄生NPN晶体管的基级；

所述N阱具有第二寄生电阻，所述第二寄生电阻的第一端连接所述第二N型重掺杂区，所述第二寄生电阻的第二端连接所述第一寄生PNP晶体管的基级。

4.一种集成电路闩锁测试结构，其特征在于，包括：

第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区；

其中，所述第一P型重掺杂区位于P型衬底上，所述第一N型重掺杂区位于第一N阱内，所述第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区均位于第二N阱内，所述第一N阱和所述第二N阱均位于所述P型衬底上；

所述第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区之间具有第一距离，所述第一N型重掺杂区和所述第二P型重掺杂区之间具有第二距离，所述第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区之间具有第三距离；

所述测试结构用于通过调整所述第一距离、所述第二距离和所述第三距离中的至少一个，测试与所述测试结构对应的集成电路的闩锁效应的电学参数。

5.根据权利要求4所述的集成电路闩锁测试结构，其特征在于，所述第二N阱、所述P型衬底和所述第一N型重掺杂区构成第一寄生NPN晶体管；

所述第二P型重掺杂区、所述第二N阱和所述P型衬底构成第一寄生PNP晶体管。

6.根据权利要求5所述的集成电路闩锁测试结构，其特征在于，所述P型衬底具有第一寄生电阻，所述第一寄生电阻的第一端连接所述第一P型重掺杂区，所述第一寄生电阻的第二端连接所述第一寄生NPN晶体管的基级；

所述第二N阱具有第二寄生电阻，所述第二寄生电阻的第一端连接所述第二N型重掺杂区，所述第二寄生电阻的第二端连接所述第一寄生PNP晶体管的基级。

7.一种集成电路闩锁测试结构，其特征在于，包括：

第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区；

其中，所述第一P型重掺杂区位于P型衬底上，所述第一N型重掺杂区位于深N阱内，所述深N阱位于第一N阱内，所述第二P型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区均位于第二N阱内，所述第一N阱和所述第二N阱均位于所述P型衬底上；

所述第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区之间具有第一距离，所述第一N型重掺杂区和所述第二P型重掺杂区之间具有第二距离，所述第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区之间具有第三距离；

所述测试结构用于通过调整所述第一距离、所述第二距离和所述第三距离中的至少一个，测试与所述测试结构对应的集成电路的闩锁效应的电学参数。

8.根据权利要求7所述的集成电路闩锁测试结构，其特征在于，所述第二N阱、所述P型衬底和所述深N阱构成第一寄生NPN晶体管；

所述第二P型重掺杂区、所述第二N阱和所述P型衬底构成第一寄生PNP晶体管。