[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法。此动态随机存取存储器包括埋入式字线、位线、位线接触结构、电容接触结构及气隙结构。埋入式字线形成于基板中，且沿着第一方向延伸。位线形成于基板上，且沿着第二方向延伸。位线接触结构形成于位线下方。电容接触结构相邻于位线，且受到气隙结构所环绕。气隙结构包括第一气隙及第二气隙分别位于电容接触结构的第一侧及第二侧。第一气隙暴露出位于基板中的浅沟隔离结构。第二气隙暴露出基板的顶表面。本发明可明显降低位线与电容接触结构之间的寄生电容。延伸进入浅沟隔离结构中的气隙结构，有利于降低位线接触结构与电容接触结构的电阻值，并且能够更进一步降低寄生电容。