[发明专利]一种红外探测器及其制备方法有效
申请号: | 202110138405.1 | 申请日: | 2021-02-01 |
公开(公告)号: | CN113328003B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 翟光杰;潘辉;武佩 | 申请(专利权)人: | 北京北方高业科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0216;H01L31/18;B81B7/00 |
代理公司: | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人: | 安伟 |
地址: | 100070 北京市丰台*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开涉及一种红外探测器及其制备方法,红外探测器包括衬底以及位于衬底上的热敏层、介质层、电极层和钝化层,介质层位于热敏层和电极层之间,热敏层位于介质层临近衬底的一侧,钝化层位于电极层远离衬底的一侧;红外探测器包括多个矩阵排列的红外探测器像元,红外探测器像元包括吸收板结构、至少两个微桥柱和至少两个梁结构,吸收板结构通过对应的梁结构连接至对应的微桥柱;热敏层覆盖吸收板结构和梁结构所在区域;其中,构成热敏层的材料包括非晶硅、非晶碳、非晶锗或非晶硅锗中的一种或几种;钝化层覆盖吸收板结构所在区域;其中,构成电极层的材料至少包括钛钨合金。通过本公开的技术方案,提高了红外探测器的红外响应率。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的