[发明专利]具有通过倒锥体提高的量子效率的图像传感器在审
| 申请号： | 202110096108.5 | 申请日： | 2021-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN113206113A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 阿里雷萨·博纳达;林志强;比尔·潘;巴德里纳斯·帕德玛纳班 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有通过倒锥体提高的量子效率的图像传感器包括半导体衬底和多个微透镜。半导体衬底包括像素阵列。每个像素用于将入射在像素上的光转换为电输出信号，半导体衬底具有用于接收光的顶表面。顶表面在每个像素中形成多个倒锥体。多个微透镜设置在顶表面上方并且分别与多个倒锥体相对准。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通过 锥体 提高 量子 效率 图像传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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