[发明专利]一种常温下形成低电阻欧姆接触的方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202110088892.5 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112768510A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 李凡;邱嵩;齐鹏远;欧阳双 | 申请（专利权）人： | 成都杰启科电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/45 |
| 代理公司： | 重庆嘉禾共聚知识产权代理事务所(普通合伙) 50220 | 代理人： | 吴迪 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国(四川)自*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种常温下形成低电阻欧姆接触的方法及半导体器件，包括以下步骤：在碳化硅的表面注入N型离子，从而形成简并碳化硅；使用高温退火对注入的N型离子进行激活，从而修复注入N型离子时对晶胞造成的损伤；在注入的N型离子表面积淀双层金属，从而形成欧姆接触。本方案在碳化硅表面形成简并碳化硅，以在常温下实现无需高温或激光退火，金属(Ti/Ni)直接形成N型欧姆接触的目的。由于避免了常用的碳化硅欧姆接触高温退火，解决了在欧姆接触表面形成空洞的问题，因此半导体器件的肖特基接触、MOS介面等器件关键部位的电特性、可靠性都得到了显著的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 常温 形成 电阻 欧姆 接触 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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