[发明专利]一种常温下形成低电阻欧姆接触的方法及半导体器件

权利要求书

1.一种常温下形成低电阻欧姆接触的方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤S1：在碳化硅的表面注入N型离子，从而形成简并碳化硅；

步骤S2：使用高温退火对注入的N型离子进行激活，从而修复注入N型离子时对晶胞造成的损伤；

步骤S3：在注入的N型离子表面积淀双层金属，从而形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的一种常温下形成低电阻欧姆接触的方法，其特征在于：在所述步骤S1中，注入的N型离子为氮离子。

3.根据权利要求2所述的一种常温下形成低电阻欧姆接触的方法，其特征在于：注入的所述氮离子浓度为5×10¹⁹cm^-3或以上。

4.根据权利要求1所述的一种常温下形成低电阻欧姆接触的方法，其特征在于：步骤S1中的所述碳化硅包括单晶碳化硅外延，在所述单晶碳化硅外延的表面注入N型离子，由于高斯分布在单晶碳化硅外延和N型离子之间形成比所述N型离子浓度低的离子注入层尾部碳化硅。

5.根据权利要求1所述的一种常温下形成低电阻欧姆接触的方法，其特征在于：在所述步骤S2中，激活注入的N型离子时，使用的高温范围为1400～1600摄氏度。

6.根据权利要求1所述的一种常温下形成低电阻欧姆接触的方法，其特征在于：在步骤S3中，N型离子表面积淀的双层金属为金属钛、金属镍，先在N型离子表面积淀金属钛，再在金属钛表面积淀金属镍。

7.根据权利要求6所述的一种常温下形成低电阻欧姆接触的方法，其特征在于：在所述N型离子表面积淀的金属钛的厚度为30nm；在钛表面积淀的金属镍的厚度为100nm。

8.一种常温下形成低电阻欧姆接触的半导体器件，其特征在于：包括：碳化硅、离子注入区、双层金属区，所述离子注入区覆盖在所述碳化硅的表面，所述双层金属区覆盖在离子注入区的表面，其中，

所述离子注入区中被注入了N型离子，形成简并碳化硅，且使用高温退火对注入的N型离子进行激活；

所述双层金属区包括金属钛、金属镍，金属钛积淀在所述N型离子表面，金属镍积淀在金属钛表面。

9.根据权利要求8所述的一种常温下形成低电阻欧姆接触的半导体器件，其特征在于：注入所述离子注入区的N型离子为氮离子，且浓度为5×10¹⁹cm^-3或以上。

10.根据权利要求8所述的一种常温下形成低电阻欧姆接触的半导体器件，其特征在于：所述金属钛的厚度为30nm；所述金属镍的厚度为100nm。