[发明专利]一种电子器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202110078579.3 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112422101B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 冯雪丽;项少华;王冲;单伟中 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/70 | 分类号： | H03H9/70;H03H9/54;H03H9/58;H03H9/205;H03H9/02;H03H3/02;H03H3/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电子器件及其形成方法。在第一晶圆上制备发射端谐振结构和接收端封盖腔，在第二晶圆上制备发射端封盖腔和接收端谐振结构，从而在键合第一晶圆和第二晶圆之后，即可在发射区中形成发射端滤波器以及在接收区中形成接收端滤波器。本发明提供的形成方法，不仅可以简化器件的制备工艺，提高器件的精准性和稳定性，并且还有利于将发射端滤波器和接收端滤波器集成设置在同一芯片中，提高了器件的集成度，减小了器件的封装尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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