[发明专利]一种电子器件及其形成方法

说明书

本发明提供了一种电子器件及其形成方法。在第一晶圆上制备发射端谐振结构和接收端封盖腔，在第二晶圆上制备发射端封盖腔和接收端谐振结构，从而在键合第一晶圆和第二晶圆之后，即可在发射区中形成发射端滤波器以及在接收区中形成接收端滤波器。本发明提供的形成方法，不仅可以简化器件的制备工艺，提高器件的精准性和稳定性，并且还有利于将发射端滤波器和接收端滤波器集成设置在同一芯片中，提高了器件的集成度，减小了器件的封装尺寸。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种电子器件及其形成方法。

背景技术

针对含有不同频率滤波器的电子器件而言，通常是分别制备不同频率的滤波器，之后再进行集成以形成电子器件。例如，异频双工器件，其可将发射信号和接收信号相隔离，保证接收和发射能够各自完成而不相互影响，因而被广泛应用于移动通信领域。具体而言，双工器通常是由两组不同频率的滤波器（分别为发射端滤波器和接收端滤波器）组成，而体声波滤波器（BAW）因其工作频率高、体积小、插损小、高Q值以及半导体工艺兼容等优势而被大量采用。

针对体声波滤波器而言，其频率一般是由谐振结构的薄膜厚度决定，因此在电子器件中具有不同频率的发射端滤波器和接收端滤波器的薄膜参数即相应的存在差异，此时，在将发射端滤波器和接收端滤波器制备在同一晶圆上时即会导致滤波器的频率调整会受到其余滤波器的限制而难以精确调整。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电子器件的形成方法，以使得电子器件中具有不同频率的发射端滤波器和接收端滤波器可以各自进行精确的频率调整，并有利于实现电子器件的整体器件尺寸。

为此，本发明提供一种电子器件的形成方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，刻蚀所述第一晶圆以在第一晶圆的接收区中形成接收端封盖腔，并在所述第一晶圆的发射区中依次形成下电极、压电层、上电极和钝化层以形成发射端谐振结构，以及刻蚀所述第二晶圆以在第二晶圆的发射区中形成发射端封盖腔，并在所述第二晶圆的接收区中依次形成下电极、压电层、上电极和钝化层以形成接收端谐振结构；以及，键合所述第一晶圆和所述第二晶圆，以使所述第一晶圆中的接收端封盖腔封盖所述第二晶圆上的接收端谐振结构构成接收端滤波器，所述第二晶圆中的发射端封盖腔封盖所述第一晶圆上的发射端谐振结构构成发射端滤波器。

可选的，所述第一晶圆的发射区中还形成有空腔，所述发射端滤波器包括沿着第一晶圆指向第二晶圆的方向顺序排布的空腔、发射端谐振结构和发射端封盖腔；以及，所述第二晶圆的接收区中还形成有空腔，所述接收端滤波器包括沿着第二晶圆指向第一晶圆的方向顺序排布的空腔、接收端谐振结构和接收端封盖腔，使得所述接收端滤波器相对于所述发射端滤波器倒置。

可选的，在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆之后，所述接收端谐振结构中的膜层排布顺序相对于所述发射端谐振结构中的膜层排布顺序倒置。

可选的，所述第一晶圆的发射区中还形成有空腔，所述发射端谐振结构形成在空腔的上方，以及所述第一晶圆中的空腔和接收端封盖腔利用同一光罩在同一工艺中同时形成；和/或，所述第二晶圆的接收区中还形成有空腔，所述接收端谐振结构形成在空腔的上方，以及所述第二晶圆中的空腔和发射端封盖腔利用同一光罩在同一工艺中同时形成。

可选的，所述发射端谐振结构的形成方法还包括：基于第一刻蚀参数侧向刻蚀发射区中的上电极的端部，以使钝化层对应的端部悬空而构成悬空部。以及，所述接收端谐振结构的形成方法还包括：基于第二刻蚀参数侧向刻蚀接收区中的上电极的端部，以使钝化层对应的端部悬空而构成悬空部，其中所述第二刻蚀参数不同于所述第一刻蚀参数。